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型号 SI4410DYTRPBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
SI4410DYTRPBF PDF
代理商 SI4410DYTRPBF
产品目录绘图 IR Hexfet 8-SOIC
标准包装 4,000
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 13.5 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1585pF @ 15V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SO
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1523 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI4410DYPBFTR
SI4410DYTRPBF-ND
SI4410DYTRPBFTR-ND
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